[发明专利]一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法有效
| 申请号： | 201711223572.6 | 申请日： | 2017-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN107799294B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 吕竹风;黄家炽 | 申请（专利权）人： | 宁德市星宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/14;C23C14/24;C23C14/16 |
| 代理公司： | 35214 福州市博深专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 林志峥<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 352100 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，包括选择合适的基础钕铁硼并将基础钕铁硼磁体切成厚度小于8mm的薄片，得到钕铁硼薄片；将钕铁硼薄片浸泡在盐酸溶液或硝酸溶液中5～20min后再于120～140℃环境中干燥20～120min；利用蒸镀法在干燥后的钕铁硼薄片表面附上一层重稀土金属；将表面蒸镀有重稀土金属的钕铁硼薄片先在750～790℃条件下真空渗透1～2h，然后再于951～1000℃条件下继续真空渗透处理2～4h；将真空渗透后的钕铁硼薄片在500～600℃条件下进行真空时效后再于400～450℃条件下进行真空时效，得目标产物。本发明制备方法在能提高磁体矫顽力的同时对剩磁影响小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 制备 钕铁硼 磁体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1：将基础钕铁硼磁体切成厚度小于8mm的薄片，得到钕铁硼薄片，所述基础钕铁硼磁体的按质量百分比组成为：Pr：5.9％；Nd：23.4％；Dy：1％；B：0.98％；Al：0.1％；Cu：0.1％；Zr：0.1％及Fe：68.42％；/n步骤2：将步骤1的钕铁硼薄片浸泡在体积浓度为3～5％的盐酸溶液或硝酸溶液中，然后在真空条件下对浸泡在盐酸溶液或硝酸溶液中的钕铁硼薄片进行超声波处理5～10min，再于120～140℃环境中干燥20～120min；/n步骤3：利用蒸镀法在步骤2处理后的钕铁硼薄片表面附上一层重稀土金属；/n步骤4：将步骤3处理后的钕铁硼薄片先在750～790℃条件下真空渗透1～2h，然后再于951～1000℃条件下继续真空渗透处理2～4h；/n步骤5：将步骤4处理后的钕铁硼薄片在500～600℃条件下进行真空时效后再于400～450℃条件下进行真空时效，得目标产物。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁德市星宇科技有限公司，未经宁德市星宇科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711223572.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：龙头净水器
- 下一篇：一种循环清洗的过滤设备
