[发明专利]半导体器件及制造其的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法。单元区域和核心区域被限定在衬底中。设置在单元区域中的位线结构被提供。设置在核心区域中的栅极结构被提供，以及设置在栅极结构上的核心盖膜被提供。核心盖膜的高度大于位线结构的高度。第一接触膜在位线结构上被形成。第二接触膜在核心盖膜上被形成。掩模在第一接触膜上被形成。核心盖膜的上表面使用掩模被暴露。第一接触膜使用蚀刻工艺被蚀刻直到第一接触膜的高度变得小于位线结构的高度。在蚀刻工艺中，对于第一接触膜的蚀刻速率大于对于位线结构和核心盖膜的蚀刻速率。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底中限定单元区域和核心区域；提供设置在所述单元区域中的位线结构、设置在所述核心区域中的栅极结构以及设置在所述栅极结构上的核心盖膜，所述核心盖膜的高度大于所述位线结构的高度；在所述位线结构上形成第一接触膜；在所述核心盖膜上形成第二接触膜；在所述第一接触膜上形成掩模；使用所述掩模暴露所述核心盖膜的上表面；以及使用对于所述第一接触膜比对于所述位线结构和所述核心盖膜具有更大蚀刻速率的蚀刻工艺蚀刻所述第一接触膜直到所述第一接触膜的高度变得小于所述位线结构的高度。