[发明专利]半导体器件及制造其的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底中限定单元区域和核心区域；

提供设置在所述单元区域中的位线结构、设置在所述核心区域中的栅极结构以及设置在所述栅极结构上的核心盖膜，所述核心盖膜的高度大于所述位线结构的高度；

在所述位线结构上形成第一接触膜，所述第一接触膜包括导电材料并电连接到所述衬底；

在所述核心盖膜上形成第二接触膜；

在所述第一接触膜上形成掩模；

使用所述掩模作为蚀刻掩模执行蚀刻工艺，使得所述第二接触膜被完全去除以暴露所述核心盖膜的上表面；以及

使用对于所述第一接触膜比对于所述位线结构和所述核心盖膜具有更大蚀刻速率的蚀刻工艺蚀刻所述第一接触膜直到所述第一接触膜的高度变得小于所述位线结构的高度，经蚀刻的所述第一接触膜形成掩埋接触，

其中所述第一接触膜的所述蚀刻之后的所述位线结构的高度基本等于或者高于所述核心盖膜的高度。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述掩模包括使用光刻工艺在所述第一接触膜上形成光致抗蚀剂。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，还包括在蚀刻所述第一接触膜之前平坦化所述第一接触膜和所述第二接触膜。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述掩模包括生长所述第一接触膜。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，还包括在所述第一接触膜的所述生长之前对所述第一接触膜执行激光退火。

6.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一接触膜包括多晶硅，并且所述第一接触膜的所述生长通过硅迁移工艺和SiGe低温生长工艺中的至少一个实现。

7.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述掩模包括调节所述掩模的厚度，使得所述第一接触膜的所述蚀刻之后的所述位线结构的高度基本等于或者高于所述核心盖膜的高度。

8.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中提供所述位线结构包括：

在所述单元区域的所述衬底上顺序地形成单元绝缘膜、包含连接到所述衬底的直接接触的位线导电膜、以及位线盖膜；

使用所述单元绝缘膜作为蚀刻停止膜部分地蚀刻所述位线导电膜和所述位线盖膜；

在所述位线导电膜和所述位线盖膜的暴露的侧壁上形成位线间隔物；以及

通过使用所述位线盖膜和所述位线间隔物作为蚀刻掩模蚀刻所述单元绝缘膜而暴露所述衬底。

9.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底中限定单元区域和核心区域；

提供设置在所述单元区域中的位线结构、设置在所述核心区域中的栅极结构以及设置在所述栅极结构上的核心盖膜，所述核心盖膜的高度大于所述位线结构的高度；

在所述位线结构和所述核心盖膜上形成接触膜，所述接触膜包括导电材料并电连接到所述衬底，

其中形成在所述位线结构上的所述接触膜的高度大于所述核心盖膜的高度；

完全去除形成在所述核心盖膜上的所述接触膜以暴露所述核心盖膜的上表面；

使用对于所述接触膜比对于所述位线结构和所述核心盖膜具有更大蚀刻速率的蚀刻工艺蚀刻所述接触膜直到所述接触膜的所述高度变得小于所述位线结构的高度，经蚀刻的所述接触膜形成掩埋接触；

在所述位线结构和所述接触膜上形成着落垫；

在所述核心盖膜上形成位线多晶硅；以及

在所述着落垫上形成电容，

其中所述接触膜的所述蚀刻之后的所述位线结构的高度基本等于或者高于所述核心盖膜的高度。

10.根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中形成所述接触膜包括以下步骤：

在所述位线结构上形成第一接触膜；

在所述核心盖膜上形成第二接触膜；以及

生长所述第一接触膜。