[发明专利]掩膜组件及其曝光方法

摘要

一种掩膜组件及其曝光方法，通过交叠设置的第一掩膜板和第二掩膜板，使第一掩膜板的第一图形和第二掩膜板的第二图形相配合以形成目标图形，第一偏移标记对用于与所对应基准标记相对准。因此通过第一图形和第二图形的组合，能够形成不同形状的目标图形；而且第一偏移标记对之间间距与相邻基准标记之间间距不相等，所以通过使不同的第一偏移标记对与相对应基准标记相对准，从而使第一图形和第二图形之间产生相对位移，形成线宽、线距不同的目标图形；也就是说，本发明技术方案能够通过一个掩膜组件形成不同形状、线宽、线距的目标图形，从而能够有效减少掩膜板的数量，能够有效降低工艺成本，进而有利于彩色滤光基板成本的控制。

主权项

1.一种掩膜组件，用于对待曝光层进行曝光以形成具有目标图形的图形化层，所述待曝光层为负性光阻层，其特征在于，包括：第一掩膜板，包括图形区以及包围所述图形区的外围区，所述图形区的第一掩膜板上具有第一图形，所述外围区的第一掩膜板上具有基准标记组，所述基准标记组包括多个等间距设置的基准标记；第二掩膜板，与所述第一掩膜板交叠设置，所述第二掩膜板包括图形区以及包围所述图形区的外围区，所述图形区的第二掩膜板上具有第二图形，用于与所述第一图形相配合以形成至少部分所述目标图形，所述外围区的第二掩膜板上具有第一偏移标记组，所述第一偏移标记组包括多个第一偏移标记对，所述多个第一偏移标记对与所述多个基准标记一一对应，相邻所述第一偏移标记对之间间隔小于所述相邻所述基准标记之间间距，或者相邻所述第一偏移标记对之间间隔大于相邻所述基准标记之间间距，所述第一偏移标记对包括两个间隔设置的第一偏移标记，所述第一偏移标记组中至少一个第一偏移标记对的两个第一偏移标记在所述第一掩膜板上的正投影对称的位于相对应基准标记两侧。