[发明专利]掩膜组件及其曝光方法

权利要求书

1.一种掩膜组件，用于对待曝光层进行曝光以形成具有目标图形的图形化层，所述待曝光层为负性光阻层，其特征在于，包括：

第一掩膜板，包括图形区以及包围所述图形区的外围区，所述图形区的第一掩膜板上具有第一图形，所述外围区的第一掩膜板上具有基准标记组，所述基准标记组包括多个等间距设置的基准标记，所述基准标记为长条形；

第二掩膜板，与所述第一掩膜板交叠设置，所述第二掩膜板包括图形区以及包围所述图形区的外围区，所述图形区的第二掩膜板上具有第二图形，用于与所述第一图形相配合以形成至少部分所述目标图形，所述外围区的第二掩膜板上具有第一偏移标记组，所述第一偏移标记组包括多个第一偏移标记对，所述多个第一偏移标记对与所述多个基准标记一一对应，相邻所述第一偏移标记对之间间隔小于所述相邻所述基准标记之间间距，或者相邻所述第一偏移标记对之间间隔大于相邻所述基准标记之间间距，所述第一偏移标记对包括两个间隔设置的第一偏移标记，所述第一偏移标记为长条形，所述第一偏移标记在所述第一掩膜板上的正投影与相对应基准标记平行，所述第一偏移标记组中至少一个第一偏移标记对的两个第一偏移标记在所述第一掩膜板上的正投影对称的位于相对应基准标记两侧。

2.如权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，相邻所述第一偏移标记对之间间距小于相邻所述基准标记之间间距。

3.如权利要求1或2所述的掩膜组件，其特征在于，相邻所述第一偏移标记对之间间距与相邻所述基准标记之间间距的差值在1μm到5μm范围内。

4.如权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述基准标记组包括横向基准标记组和纵向基准标记组，所述横向基准标记组的基准标记沿第一方向排列，所述纵向基准标记组的基准标记沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向相垂直；

所述第一偏移标记组包括第一横向偏移标记组和第一纵向偏移标记组，所述第一横向偏移标记组的第一偏移标记对沿所述第一方向排列，所述第一纵向偏移标记组的第一偏移标记对沿所述第二方向排列；

在所述第一掩膜板上，第一横向偏移标记组中一个第一偏移标记对的两个第一偏移标记的正投影对称的位于横向基准标记组中相对应基准标记两侧；

在所述第一掩膜板上，第一纵向偏移标记组中一个第一偏移标记对的两个第一偏移标记的正投影对称的位于纵向基准标记组中相对应基准标记两侧。

5.如权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一掩膜板的图形区与所述第二掩膜板的图形区均为正方形或长方形，所述第一掩膜板的外围区和所述第二掩膜板的外围区均为方环形；

所述基准标记组的数量为4个，分别位于所述第一掩膜板外围区的拐角处；

所述第一偏移标记组的数量为4个，分别位于所述第二掩膜板的所述外围区的拐角处。

6.如权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一偏移标记对中两个第一偏移标记之间间隔与所述基准标记尺寸的比值大于1，小于或等于1.2。

7.如权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述基准标记组中所述多个基准标记的长度相等；第一偏移标记组中所有第一偏移标记对的第一偏移标记长度相等。

8.如权利要求7所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一偏移标记的长度小于所述基准标记的长度。

9.如权利要求8所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一掩膜板上，所述第一偏移标记正投影的一端与所述基准标记的一端齐平。