[发明专利]具有间隔层的多晶相结构、MOS晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种具有间隔层的多晶相结构、MOS晶体管及其制作方法，多晶相结构包含若干个多晶硅层及若干个间隔层，多晶硅层与间隔层交替层叠，多晶硅层中具有离子掺杂，间隔层用以隔离相邻的两个多晶硅层之间的结晶界面，以隔断相邻的两个多晶硅层的漏电路径。本发明在多晶硅层中插入若干隔离层，该隔离层可以在非晶硅转化为多晶硅的过程中，隔离多晶硅层与层之间的结晶界面，使得结晶键分散，从而避免多晶硅中产生连续相通的漏电路径，能够减小、甚至避免多晶硅中产生的漏电流，以提高多晶硅栅对MOS晶体管沟道区的控制能力。

主权项

1.一种具有间隔层的多晶相结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1)提供一基面，于所述基面上形成第一非晶硅层；2)于所述第一非晶硅层表面形成间隔层；3)于所述间隔层上形成第二非晶硅层；4)通过离子注入工艺对所述第一非晶硅层及所述第二非晶硅层进行离子掺杂，所述间隔层提供所述离子的注入阻力，以防止所述离子穿透过所述基面；以及5)通过退火工艺使所述第一非晶硅层及所述第二非晶硅层转化为由所述间隔层隔离的第一多晶硅层及第二多晶硅层，所述间隔层用以隔离所述第一多晶硅层的结晶界面与所述第二多晶硅层的结晶界面。