[发明专利]银铜铟镓硒反应溅射法和装置及含银铜铟镓硒的光伏电池在审
| 申请号： | 201711192048.7 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108155257A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 鲁因·法尔希;尼尔·麦凯 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0749;C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 贾博雍;吴兰柱 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了制造半导体结构的方法，包括步骤：在包括至少一种硫族元素的环境中在衬底上溅射银、铜、铟和镓，以沉积银、铜、铟、镓以及至少一种硫族元素的合金。合金的薄膜可以以高吞吐量沉积在连续移动的衬底上，以形成光伏电池的p型半导体吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 光伏电池 硫族元素 衬底 沉积 合金 半导体结构 反应溅射 高吞吐量 连续移动 铜铟镓硒 吸收层 含银 溅射 银铜 铟镓 薄膜 制造 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，包括：在包括至少一种硫族元素的环境中在衬底上溅射银、铜、铟和镓，其中银、铜、铟、镓以及至少一种硫族元素的合金在衬底上沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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