[发明专利]一种改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法在审
申请号: | 201711189541.3 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN109839801A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 王金翠;苏建;徐现刚;肖成峰;郑兆河 | 申请(专利权)人: | 山东华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法,包括如下步骤:a)在外延片的衬底及外延层表面旋涂光刻胶形成第一光刻胶层;b)在第一光刻胶层上旋涂第二光刻胶层;c)利用光刻掩膜版通过曝光、曝光后烘烤及显影方法在第二光刻胶层上根据掩膜版图形尺寸光刻制备出需要的图形;d)利用步骤c)中光刻出的图形作为光刻掩膜版,将外延片进行二次曝光、显影处理,在外延片上制备得到所需图形。通过延长一次曝光后烘烤的时间和第二次曝光的时间就可以得到缺陷比较少的图形得到缺陷较少的图形,避免因为光刻掩膜版的损伤对光刻图形造成缺陷,也不需要经常替换光刻版,增加光刻成本,延长光刻掩膜版的使用期限。 | ||
搜索关键词: | 光刻掩膜版 光刻胶层 光刻 使用期限 光刻版 外延片 烘烤 曝光 外延层表面 掩膜版图形 二次曝光 显影处理 一次曝光 光刻胶 刻制 衬底 上旋 显影 旋涂 制备 替换 损伤 | ||
【主权项】:
1.一种改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法,其特征在于,包括如下步骤:a) 在生长有外延层的外延片(1)表面旋涂光刻胶形成第一光刻胶层(2),烘烤去除第一光刻胶层(2)中的溶剂;b)在第一光刻胶层(2)上旋涂第二光刻胶层(3),烘烤去除第二光刻胶层(3)中的溶剂;c)利用光刻掩膜版(4)通过曝光、曝光后烘烤及显影方法在第二光刻胶层(3)上根据掩膜版图形尺寸(6)光刻制备出需要的图形,制备完成后进行去水烘烤;d)利用步骤c)中光刻出的图形作为光刻掩膜版,将外延片(1)进行二次曝光、显影处理,在外延片(1)上制备得到所需图形。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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