[发明专利]一种改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法在审
| 申请号： | 201711189541.3 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN109839801A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王金翠;苏建;徐现刚;肖成峰;郑兆河 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F7/00;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻掩膜版 光刻胶层 光刻 使用期限 光刻版 外延片 烘烤 曝光 外延层表面 掩膜版图形 二次曝光 显影处理 一次曝光 光刻胶 刻制 衬底 上旋 显影 旋涂 制备 替换 损伤 | ||
1.一种改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a) 在生长有外延层的外延片（1）表面旋涂光刻胶形成第一光刻胶层（2），烘烤去除第一光刻胶层（2）中的溶剂；
b)在第一光刻胶层（2）上旋涂第二光刻胶层（3），烘烤去除第二光刻胶层（3）中的溶剂；
c)利用光刻掩膜版（4）通过曝光、曝光后烘烤及显影方法在第二光刻胶层（3）上根据掩膜版图形尺寸（6）光刻制备出需要的图形，制备完成后进行去水烘烤；
d)利用步骤c)中光刻出的图形作为光刻掩膜版，将外延片（1）进行二次曝光、显影处理，在外延片（1）上制备得到所需图形。
2.根据权利要求1所述的改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法，其特征在于：步骤a)中的烘烤采用在烘箱内加热至80℃-100℃下烘烤5-10min或在热板上加热至80℃-100℃下烘烤1-3min。
3.根据权利要求1所述的改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法，其特征在于：步骤a)中旋涂的光刻胶为正性光刻胶。
4.根据权利要求1所述的改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法，其特征在于：步骤b)中的烘烤采用在烘箱内加热至80℃-100℃下烘烤5-10min或在热板上加热至80℃-100℃下烘烤1-3min。
5.根据权利要求1所述的改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法，其特征在于：步骤b)中旋涂的光刻胶为负性光刻胶。
6.根据权利要求1所述的改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法，其特征在于：步骤c)中光刻掩膜版上损伤（5）位置在第一光刻胶层（2）上残留的残留光刻胶（7）尺寸小于光刻掩膜版（4）上的光刻掩膜版上损伤（5）的尺寸。
7.根据权利要求1所述的改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法，其特征在于：步骤c)中曝光后在烘箱内加热至80℃-100℃下烘烤10-15min。
8.根据权利要求1所述的改善光刻缺陷以及延长光刻版使用期限的方法，其特征在于：步骤d)中外延片（1）进行二次曝光时间为步骤c)中曝光时间的1.2-1.5倍。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
