[发明专利]一种共晶键合的结构和方法在审
| 申请号： | 201711185504.5 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109824011A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王诗男 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81C1/00;B81B3/00;B81B7/00;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种共晶键合的方法和结构，该方法包括：在第一基板的表面形成第一键合材料的图形；在第二基板的表面形成第二键合材料的图形；在第一基板的所述表面形成位于所述第一键合材料的图形的内侧和外侧的闭合的围挡结构；以及将所述第一键合材料的图形和所述第二键合材料的图形相互接触使二者的至少一部分共融形成共晶。能够有效地降低共晶键合过程中共晶材料的溢流，并且有效地减少基板的相对滑动，同时降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 键合材料 表面形成 共晶键合 第一基板 有效地减少 闭合 第二基板 相对滑动 有效地 共晶 基板 围挡 溢流 申请 | ||
【主权项】：
1.一种共晶键合的方法，包括：在第一基板的表面形成第一键合材料的图形；在第二基板的表面形成第二键合材料的图形；在第一基板的所述表面形成位于所述第一键合材料的图形的内侧和外侧的闭合的围挡结构；以及将所述第一键合材料的图形和所述第二键合材料的图形相互接触使二者的至少一部分共融形成共晶。
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