[发明专利]一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法及结构在审
| 申请号： | 201711183486.7 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107742605A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 王玉岐;陈保友;张文杰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法及结构，所述方法包括如下步骤步骤一，在前道工艺流程形成的氮化硅‑氧化硅台阶结构表层沉积一层加厚层；步骤二，利用刻蚀工艺除去所述台阶侧壁沉积的加厚层，但保留台阶表面的加厚层；步骤三，对加厚的台阶结构利用等离子体刻蚀工艺进行接触孔刻蚀。加厚首先利用化学气相沉积，沿原有氮化硅台阶生长一层氮化硅，然后利用各向同性刻蚀除去台阶侧壁的外延氮化硅层。沉积也可采用原子层沉积等其他外延方法，除去台阶侧壁外延层采用的刻蚀方法可以是湿法刻蚀或各向同性干法刻蚀。本发明解决了刻蚀穿通问题，可以节约生产成本，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 台阶 接触 刻蚀 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法，其特征是，包含以下步骤：步骤一，在前道工艺流程形成的氮化硅‑氧化硅台阶结构表层沉积一层加厚层；步骤二，利用刻蚀工艺除去所述台阶侧壁沉积的加厚层，但保留台阶表面的加厚层；步骤三，对加厚的台阶结构利用等离子体刻蚀工艺进行接触孔刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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