[发明专利]一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法及结构

权利要求书

1.一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法，其特征是，包含以下步骤：

步骤一，在前道工艺流程形成的氮化硅-氧化硅台阶结构表层沉积一层加厚层；

步骤二，利用刻蚀工艺除去所述台阶侧壁沉积的加厚层，但保留台阶表面的加厚层；

步骤三，对加厚的台阶结构利用等离子体刻蚀工艺进行接触孔刻蚀。

2.根据权利要求1所述的一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法，其特征是：

所述步骤一中氮化硅-氧化硅台阶结构表层为氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法，其特征是：

所述步骤一中沉积加厚层的工艺是化学气相沉积或者原子层沉积。

4.根据权利要求1所述的一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法，其特征是：

所述步骤一中的加厚层为氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法，其特征是：

所述步骤二中采用的刻蚀工艺是湿法刻蚀或者干法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法，其特征是：

所述步骤二之后，所述步骤三之前包括如下步骤：将所述氮化硅-氧化硅台阶结构中的氮化硅替换成金属。

7.根据权利要求6所述的一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法，其特征是：

所述将氮化硅替换成金属的过程如下：首先，将氮化硅层刻蚀掉，形成沟槽；然后向所述沟槽注入或沉淀金属，完成所述替换。

8.根据权利要求6或7所述的一种防止台阶接触孔刻蚀穿通的方法，其特征是：

所述金属是以下金属中的一种：钨、钴、铜、铝。

9.一种3D-NAND存储器，其包括根据权利要求1-8任意一项所述的方法制作的防止台阶接触孔刻蚀穿通的结构。