[发明专利]鳍状场效晶体管的形成方法有效
申请号: | 201711181814.X | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN108122777B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 黄翊铭;张世杰;杨怀德 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;张福根 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 提供一种鳍状场效晶体管装置与其形成方法。方法包括蚀刻凹陷于栅极堆叠两侧上的基板中。方法亦包括外延成长源极/漏极区于每一凹陷中,其中每一源极/漏极区包括沿着个别源极/漏极区的上表面的盖层,且每一源极/漏极区中的第一材料在盖层与下方外延层的界面具有最高浓度。方法亦包括沉积多个金属层于源极/漏极区上,且金属层接触源极/漏极区。方法亦包括进行回火,且在回火后形成金属硅化物区于每一源极/漏极区中,其中每一金属硅化物区延伸穿过盖层并止于盖层与下方外延层的界面。 | ||
搜索关键词: | 鳍状场效 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种鳍状场效晶体管的形成方法,包括:形成一栅极堆叠于一基板上;蚀刻多个凹陷于该基板中,且该些凹陷的一第一凹陷与一第二凹陷分别位于该栅极堆叠的两侧上;分别外延成长多个源极/漏极区于每一该些凹陷中,其中每一该些源极/漏极区包括一盖层沿着该些源极/漏极区的上表面,其中每一该些源极/漏极区中的一第一材料在该盖层与一下方外延层之间的界面具有最高浓度;沉积多个含金属层于每一该些源极/漏极区上并接触每一该些源极/漏极区;以及进行一回火,且在该回火后形成多个金属硅化物区于每一该些源极/漏极区上,其中每一该些金属硅化物区延伸穿过该盖层并止于该下方外延层的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造