[发明专利]鳍状场效晶体管的形成方法

说明书

提供一种鳍状场效晶体管装置与其形成方法。方法包括蚀刻凹陷于栅极堆叠两侧上的基板中。方法亦包括外延成长源极/漏极区于每一凹陷中，其中每一源极/漏极区包括沿着个别源极/漏极区的上表面的盖层，且每一源极/漏极区中的第一材料在盖层与下方外延层的界面具有最高浓度。方法亦包括沉积多个金属层于源极/漏极区上，且金属层接触源极/漏极区。方法亦包括进行回火，且在回火后形成金属硅化物区于每一源极/漏极区中，其中每一金属硅化物区延伸穿过盖层并止于盖层与下方外延层的界面。

技术领域

本发明实施例关于半导体装置的形成方法，更特别关于鳍状场效晶体管的形成方法。

背景技术

半导体装置已用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数字相机、与其他电子设备。一般而言，半导体装置的制程为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体的材料于半导体基板上，并以微影与蚀刻制程图案化多种材料层，以形成电路构件与单元于其上。

半导体产业持续缩小最小结构尺寸，以持续改良多种电子构件如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物的集成密度，使更多构件整合至单位面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，需解决出现的额外问题。

发明内容

本发明一实施例提供的鳍状场效晶体管的形成方法，包括：形成栅极堆叠于基板上；蚀刻多个凹陷于基板中，且凹陷的第一凹陷与第二凹陷分别位于栅极堆叠的两侧上；分别外延成长多个源极/漏极区于每一凹陷中，其中每一源极/漏极区包括盖层沿着源极/漏极区的上表面，其中每一源极/漏极区中的第一材料在盖层与下方外延层之间的界面具有最高浓度；沉积多个含金属层于每一源极/漏极区上并接触每一源极/漏极区；以及进行回火，且在回火后形成多个金属硅化物区于每一源极/漏极区上，其中每一金属硅化物区延伸穿过盖层并止于下方外延层的表面。

附图说明

图1是一些实施例中，鳍状场效晶体管装置的透视图。

图2至5是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图6A与6B是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图7A、7B、与7C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图8A、8B、与8C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图9A、9B、与9C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图10A、10B、与10C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图11A、11B、与11C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图12A与12B是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图13A与13B是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图14A与14B是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图15A、15B、与15C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图16是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图17A与17B是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图18A与18B是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。

图19A与19B是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段其剖视图。