[发明专利]VA型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种VA型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。本发明的VA型薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括：在同一个像素中形成三个像素电极，该三个像素电极接同一薄膜晶体管但位于不同的结构层上，因此驱动液晶的能力不同，本发明通过三个像素电极来调整一个像素内三个区域的液晶穿透率，有利于实现从不同角度观看该像素时像素亮度保持均一性，从而提升VA型液晶显示器的视角。本发明的VA型薄膜晶体管阵列基板在同一个像素中设置三个像素电极，有利于提升VA型液晶显示器的视角。

主权项

1.一种垂直配向型薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供衬底基板(10)，采用第一道光罩工艺在所述衬底基板(10)上形成栅极(21)、扫描线(22)、第一像素电极(25)；其中，所述扫描线(22)与栅极(21)相连；S2、在所述栅极(21)、扫描线(22)、第一像素电极(25)、衬底基板(10)上沉积栅极绝缘层(30)，在所述栅极绝缘层(30)上沉积半导体层(35)，采用第二道光罩工艺对所述半导体层(35)进行图形化处理，得到对应于所述栅极(21)上方的有源层(40)；S3、采用第三道光罩工艺在所述有源层(40)与栅极绝缘层(30)上形成漏极(51)、源极(52)、数据线(53)、第二像素电极(55)；其中，所述漏极(51)和源极(52)分别与所述有源层(40)相接触，所述数据线(53)与所述源极(52)相连，所述漏极(51)与所述第二像素电极(55)相连；S4、在所述漏极(51)、源极(52)、数据线(53)、第二像素电极(55)、有源层(40)及栅极绝缘层(30)上形成钝化层(60)，采用第四道光罩工艺对所述钝化层(60)与栅极绝缘层(30)进行图形化处理，得到位于所述钝化层(60)上的第一通孔(61)与第二通孔(62)以及位于所述钝化层(60)与栅极绝缘层(30)上的第三通孔(63)，其中，所述第一通孔(61)与第二通孔(62)对应于所述漏极(51)上方设置，所述第三通孔(63)对应于所述第一像素电极(25)上方设置；S5、在所述钝化层(60)上沉积第三透明导电层(65)，采用第五道光罩工艺对所述第三透明导电层(65)进行图形化处理，得到第三像素电极(71)与导电连接层(72)；其中，所述第三像素电极(71)通过所述第一通孔(61)与所述漏极(51)相连；所述导电连接层(72)经由所述第二通孔(62)与所述漏极(51)相连，同时经由所述第三通孔(63)与所述第一像素电极(25)相连，从而将所述漏极(51)与所述第一像素电极(25)连接在一起。