[发明专利]一种磁电阻薄膜材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201711169287.0 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN107887103B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李明华;于广华;施辉;方帅 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01F10/10 | 分类号： | H01F10/10;H01F41/14;H01L43/12;H01L43/08;C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于磁性薄膜领域，尤其涉及一种磁电阻薄膜材料及其制备方法，其薄膜结构为：基片/Ta和半金属元素的合金化合物/（1.0～200.0nm）多层膜和半金属元素（如B、Si、As、Sb、Te、Po）的合金化合物。本发明的有益效果是，该方法是在NiFe(NiCo)或者MO/NiFe(NiCo)/MO两边沉积（1.0～20.0 nm）Ta和半金属元素的合金化合物的缓冲层和保护层。利用半金属材料特殊的物理化学性质来改善薄膜中输运电子的散射途径，延长电子的平均自由程，进而达到提高NiFe和NiCo薄膜的平面霍尔效应（PHE）灵敏度、改善其热稳定性的目的，以满足磁传感器的性能和产品需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁电 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种磁电阻薄膜材料，该磁电阻薄膜材料包括基底、缓冲层、多层膜、保护层；其特征在于，所述缓冲层和保护层均由金属Ta和半金属元素构成，所述金属Ta的质量百分比为：19.9‑99.9%，剩余为半金属元素。
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