[发明专利]一种磁电阻薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种磁电阻薄膜材料的制备工艺，该磁电阻薄膜材料包括基底、缓冲层、多层膜和保护层；所述缓冲层和保护层均由金属Ta和半金属元素构成，所述金属Ta的质量百分比为：19.9-99.9%，剩余为半金属元素；所述半金属元素为B、As、Sb、Te或Po中一种或多种；所述磁电阻薄膜材料的灵敏度最高达到2000V/AT，热稳定性达到500℃，其特征在于，方法具体包括以下步骤：

步骤1：选取基底材料，进行清洗；所述基底为硅基片、玻璃基片或MgO基片；

步骤2：采用共溅射方法将Ta和半金属元素的合金化合物沉积在经步骤1处理后的基底材料上作为缓冲层，所述缓冲层的沉积厚度为：1.0～20.0nm；

步骤3：在所述缓冲层上沉积多层膜，所述多层膜为NiFe、NiCo、MO/NiFe/MO或MO/ NiCo/MO，其中，MO为MgO；保护层的沉积厚度为：1.0～20.0nm；

步骤4：采用共溅射方法将Ta和半金属元素的合金化合物沉积在多层膜上作为保护层，得到薄膜；

其中，溅射室本底真空度为1.0×10^-4～9.9×10^-4 Pa或者1.0×10^-5～9.9×10^-5 Pa，溅射前通入镀膜室99.99%纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～1.5 Pa；溅射时99.99%纯度的高纯氩气气压为0.2 ～2.7 Pa；基片用循环去离子水冷却，平行于基片平面方向加有5～60 kA/m的磁场；

步骤5：将经过步骤4制备的薄膜在真空退火炉中进行退火处理，最终得到磁电阻薄膜材料；

退火炉本底真空度为1.0×10^-4～9.9×10^-4 Pa或者1.0×10^-5～9.9×10^-5 Pa、退火温度为100-500℃，退火时间为10min-2h，退火时沿薄膜的易轴方向加5-100kA/m的磁场，并在磁场中随炉冷却。