[发明专利]一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法在审
| 申请号： | 201711168487.4 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107946177A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 孟祥国;李全波;陆连 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法，包括下列步骤提供半导体衬底，侧墙刻蚀形成浅沟槽隔离结构；在上述结构上生长致密氧化物薄膜层；进行光刻胶旋涂与曝光工艺处理；进行离子注入工艺处理；进行光刻胶玻璃工艺处理后进行湿法清洗处理；去除所述致密氧化物薄膜层。本发明提出的减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法，通过在侧墙刻蚀之后增加致密氧化膜的生长，在离子注入光刻胶剥离时可以有效阻止有源区的注入离子的损失和晶圆表面的膜质损失，从而避免了因光刻胶剥离工艺的变更导致的器件漂移问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 光刻 剥离 工艺 器件 性能 影响 方法 | ||
【主权项】：
一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供半导体衬底，侧墙刻蚀形成浅沟槽隔离结构；在上述结构上生长致密氧化物薄膜层；进行光刻胶旋涂与曝光工艺处理；进行离子注入工艺处理；进行光刻胶玻璃工艺处理后进行湿法清洗处理；去除所述致密氧化物薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
