[发明专利]氧化物薄膜的制备方法与QLED器件

摘要

本发明公开氧化物薄膜的制备方法与QLED器件，其中所述钙钛矿型氧化物薄膜是ABx1C(1‑x1)O3或Ax2B(1‑x2)DO3成膜后在含有还原性气体的气氛中经退火处理形成的。本发明将ABx1C(1‑x1)O3或Ax2B(1‑x2)DO3作为空穴功能层应用于QLED器件中，可提高器件的空穴传输能力。本发明通过对掺杂的ABx1C(1‑x1)O3或Ax2B(1‑x2)DO3薄膜进行后处理，使其产生更多的氧空位，降低其在可见光的吸收，提高其对光的透过率，进而提高了在QLED器件的出光效率。

主权项

1.一种氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤:将二价态的金属元素A的盐、三价态的金属元素B的盐和四价态的金属元素C的盐混合于双氧水中，所述A、B与C的摩尔比为1: x1:（1‑x1），其中0.05<x1<0.35；或是将二价态的金属元素A的盐、三价态的金属元素B的盐和三价态的金属元素D的盐混合于双氧水中，所述A、B与D的摩尔比为x2:（1‑x2）:1，其中0.02<x2<0.35；将碱加入所述双氧水中进行反应，得到AB_x1C_(1‑x1)O₃或A_x2B_(1‑x2)DO₃；将AB_x1C_(1‑x1)O₃或A_x2B_(1‑x2)DO₃分散于溶剂中，得到AB_x1C_(1‑x1)O₃溶液或A_x2B_(1‑x2)DO₃溶液；沉积所述AB_x1C_(1‑x1)O₃溶液或A_x2B_(1‑x2)DO₃溶液，制备得到AB_x1C_(1‑x1)O₃薄膜或A_x2B_(1‑x2)DO₃薄膜；在含有还原性气体的气氛中对所述AB_x1C_(1‑x1)O₃薄膜或A_x2B_(1‑x2)DO₃薄膜进行退火处理，使得在所述AB_x1C_(1‑x1)O₃薄膜或A_x2B_(1‑x2)DO₃薄膜中产生氧空位。