[发明专利]氧化物薄膜的制备方法与QLED器件

说明书

本发明公开氧化物薄膜的制备方法与QLED器件，其中所述钙钛矿型氧化物薄膜是AB_x1C_(1‑x1)O₃或A_x2B_(1‑x2)DO₃成膜后在含有还原性气体的气氛中经退火处理形成的。本发明将AB_x1C_(1‑x1)O₃或A_x2B_(1‑x2)DO₃作为空穴功能层应用于QLED器件中，可提高器件的空穴传输能力。本发明通过对掺杂的AB_x1C_(1‑x1)O₃或A_x2B_(1‑x2)DO₃薄膜进行后处理，使其产生更多的氧空位，降低其在可见光的吸收，提高其对光的透过率，进而提高了在QLED器件的出光效率。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及氧化物薄膜的制备方法与QLED器件。

背景技术

ACO₃(其中A=Ca、Sr、Ba，C=Ti、Zr、Sn等)和BDO₃(其中B=Fe、Al、Ga，D=La、Sc等)为钙钛矿结构材料，具有极其稳定的性能，被应用到光伏器件或者传感器中。其作为n型宽带隙半导体材料，经常被用作电子传输层。目前将ACO₃或BDO₃作为空穴传输层还鲜有报道。而ACO₃或BDO₃钙钛矿类型结构的金属氧化物由于其电子和空穴很容易受到化学计量比和金属价态的影响，因此可以通过掺杂改变ACO₃或BDO₃金属氧化物中的空穴电子浓度以提供其传输空穴的能力；同时掺杂的ACO₃或BDO₃薄膜的透光率和电阻也容易受到其结构和氧空位的影响。薄膜的透光率和电阻对QLED器件的影响同样很显著，所以提高薄膜的透光率和降低薄膜的电阻是改进的方向。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供氧化物薄膜的制备方法与QLED器件，旨在解决现有ACO₃或BDO₃无法作为空穴传输层，及掺杂的ACO₃或BDO₃薄膜的透光率低和电阻大的问题。

本发明的技术方案如下：

一种氧化物薄膜的制备方法，其中，包括步骤:

将二价态的金属元素A的盐、三价态的金属元素B的盐和四价态的金属元素C的盐混合于双氧水中，所述A、B与C的摩尔比为1: x1:（1-x1），其中0.05x10.35；或是将二价态的金属元素A的盐、三价态的金属元素B的盐和三价态的金属元素D的盐混合于双氧水中，所述A、B与D的摩尔比为x2:（1-x2）:1，其中0.02x20.35；

将碱加入所述双氧水中进行反应，得到AB_x1C_(1-x1)O₃或A_x2B_(1-x2)DO₃；

将AB_x1C_(1-x1)O₃或A_x2B_(1-x2)DO₃分散于溶剂中，得到AB_x1C_(1-x1)O₃溶液或A_x2B_(1-x2)DO₃溶液；