[发明专利]氧化层及半导体器件的形成方法

摘要

本发明提供了一种氧化层及半导体器件的形成方法，首先采用第一溶液对所述衬底进行清洗，以清除所述衬底表面的颗粒和有机物质，将衬底暴露出来，便于后续的氧化，再采用第二溶液氧化所述衬底，以在所述衬底上形成氧化层，由于所述第二溶液中过氧化氢的浓度大，氧化性强，可以短时间内将衬底的表面氧化以形成一致密的氧化层，再者，第二溶液可以均匀的分布在衬底上，采用第二溶液氧化形成的氧化层均匀性更好，并且，采用第一溶液和第二溶液分别对衬底进行清洗和氧化可以在同一个机台中完成，不需要更换机台，节约了制造时间和成本。

主权项

一种氧化层的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；采用第一溶液对所述衬底进行清洗以暴露出硅表面，所述第一溶液中包括过氧化氢；采用第二溶液氧化所述衬底，以在所述衬底上形成氧化层，所述第二溶液中包括过氧化氢，所述第二溶液中过氧化氢的浓度较所述第一溶液中过氧化氢的浓度高；采用去离子水对所述衬底的表面进行清洗。