[发明专利]氧化层及半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201711160590.4 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107978511A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡松柏;李侃 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种氧化层的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
采用第一溶液对所述衬底进行清洗以暴露出硅表面，所述第一溶液中包括过氧化氢；
采用第二溶液氧化所述衬底，以在所述衬底上形成氧化层，所述第二溶液中包括过氧化氢，所述第二溶液中过氧化氢的浓度较所述第一溶液中过氧化氢的浓度高；
采用去离子水对所述衬底的表面进行清洗。
2.如权利要求1所述的氧化层的形成方法，其特征在于，采用一号标准清洗液对所述衬底进行清洗之前，所述氧化层的形成方法还包括：
采用氢氟酸溶液对所述衬底进行清洗，以除去所述衬底上自然形成的氧化层；
采用去离子水对所述衬底进行清洗，以除去所述衬底上残留的氢氟酸溶液。
3.如权利要求2所述的氧化层的形成方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液的浓度为0.2wt％-0.8wt％，温度为18摄氏度-50摄氏度。
4.如权利要求1所述的氧化层的形成方法，其特征在于，所述第一溶液为氢氧化铵、过氧化氢和去离子水的混合溶液。
5.如权利要求4所述的氧化层的形成方法，其特征在于，所述第一溶液中氢氧化铵、过氧化氢和去离子水的浓度比为1:1:5-1:1:7，温度为30摄氏度-50摄氏度。
6.如权利要求1所述的氧化层的形成方法，其特征在于，所述第二溶液为盐酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液。
7.如权利要求6所述的氧化层的形成方法，其特征在于，所述第二溶液中盐酸、过氧化氢和去离子水的浓度比为1:1:6-1:2:8，温度为30摄氏度-50摄氏度。
8.如权利要求1所述的氧化层的形成方法，其特征在于，采用去离子水对所述衬底的表面清洗1min-3min，并采用氮气吹干所述衬底。
9.如权利要求1所述的氧化层的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为15埃-35埃。
10.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，采用如权利要求1-9中任一项所述的氧化层的形成方法形成一氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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