[发明专利]一种刻蚀终点确定方法、晶圆刻蚀方法以及刻蚀系统在审
申请号: | 201711159284.9 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN107919273A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 张健 | 申请(专利权)人: | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李婷婷,王宝筠 |
地址: | 201203 上海市自由贸易试验*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种刻蚀终点确定方法、晶圆刻蚀方法以及刻蚀系统,所述刻蚀终点确定方法采用矩形窗口选取波峰或波谷附近的多个数据,计算得到波峰或波谷的较为准确的位置,再以最后的半个周期的刻蚀速率作为最后不足半个周期的样品晶圆刻蚀速率,从而将多个刻蚀时间求和,得到最终样品晶圆的刻蚀终点对应的刻蚀时间,得到样品晶圆的刻蚀终点。相对于现有技术中认为刻蚀速率为均匀的,且光谱数据为平滑曲线而言,考虑了更多的影响因素,从而使得刻蚀终点的确定更加精确,使后续晶圆刻蚀的刻蚀终点更加精确,减少了刻蚀不到位或过量刻蚀的情况出现,进而提高了产品合格率。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 终点 确定 方法 以及 系统 | ||
【主权项】:
一种刻蚀终点确定方法,其特征在于,包括:获取光谱数据,所述光谱数据由样品晶圆刻蚀过程采集得到,所述光谱数据为横轴为时间,纵轴为光强的正弦曲线图;获取所述光谱数据中的多个波峰和多个波谷;基于预设的多个矩形窗口,从所述光谱数据中获取每个所述波峰和所述波谷对应的时间,得到多个半周期;其中,所述矩形窗口包括相对设置的上边框和下边框,以及相对设置的左边框和右边框,所述矩形窗口的参数包括窗口宽度和窗口高度,与所述波峰对应的所述矩形窗口的上边框中点与所述波峰重合,与所述波谷对应的所述矩形窗口的下边框中点与所述波谷重合;根据所述光谱数据中最后一个波峰和最后一个波谷时间差,以及所述样品晶圆刻蚀被刻蚀所述多个半周期之后的剩余厚度,得到刻蚀终点对应的时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造