[发明专利]一种刻蚀终点确定方法、晶圆刻蚀方法以及刻蚀系统

权利要求书

1.一种刻蚀终点确定方法，其特征在于，包括：

获取光谱数据，所述光谱数据由样品晶圆刻蚀过程采集得到，所述光谱数据为横轴为时间，纵轴为光强的正弦曲线图；

获取所述光谱数据中的多个波峰和多个波谷；

基于预设的多个矩形窗口，从所述光谱数据中获取每个所述波峰和所述波谷对应的时间，得到多个半周期；其中，所述矩形窗口包括相对设置的上边框和下边框，以及相对设置的左边框和右边框，所述矩形窗口的参数包括窗口宽度和窗口高度，与所述波峰对应的所述矩形窗口的上边框中点与所述波峰重合，与所述波谷对应的所述矩形窗口的下边框中点与所述波谷重合；

根据所述光谱数据中最后一个波峰和最后一个波谷时间差，以及所述样品晶圆刻蚀被刻蚀所述多个半周期之后的剩余厚度，得到刻蚀终点对应的时间。

2.根据权利要求1所述的刻蚀终点确定方法，其特征在于，所述基于预设的多个矩形窗口，从所述光谱数据中获取每个所述波峰和所述波谷对应的时间，得到多个半周期，具体包括：

预设所述矩形窗口的窗口高度，所述矩形窗口的上边框或下边框与所述正弦曲线的两个交点即为窗口宽度；

根据所述矩形窗口的左边框和右边框所对应时间获取所述矩形窗口对应的波峰时间或波谷时间；

计算相邻波峰和波谷对应时间的差，得到多个半周期。

3.根据权利要求1所述的刻蚀终点确定方法，其特征在于，所述基于预设的多个矩形窗口，从所述光谱数据中获取每个所述波峰和所述波谷对应的时间，得到多个半周期，具体包括：

预设所述矩形窗口的窗口高度，所述矩形窗口的上边框或下边框与所述正弦曲线的两个交点即为窗口宽度；

对所述矩形窗口内的所有光谱数据进行最小二乘拟合，得到波峰或波谷对应的时间；

计算相邻波峰和波谷对应时间的差，得到多个半周期。

4.根据权利要求2或3所述的刻蚀终点确定方法，其特征在于，所述预设所述矩形窗口的窗口高度具体包括：

若所述矩形窗口为第N个波峰对应的矩形窗口，则根据所述第N-1个波谷至所述第N个波峰的光强幅度的预设百分比设定。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的刻蚀终点确定方法，其特征在于，在所述获取光谱数据之后，且在所述获取所述光谱数据中的多个波峰和多个波谷之前，还包括：

对所述光谱数据优化处理。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的刻蚀终点确定方法，其特征在于，在所述根据所述光谱数据中最后一个波峰和最后一个波谷时间差，以及所述样品晶圆刻蚀被刻蚀所述多个半周期之后的剩余厚度，得到刻蚀终点对应的时间之后，还包括：

判断所述刻蚀终点对应的时间是否准确，若是，则保存所述刻蚀终点对应的时间，以及所述矩形窗口的参数；

若否，则接收用户操作，调整所述矩形窗口的参数，并返回所述基于预设的多个矩形窗口，从所述光谱数据中获取每个所述波峰和所述波谷对应的时间，得到多个半周期步骤。

7.一种晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供晶圆；

对所述晶圆进行刻蚀第一时间，所述第一时间根据权利要求1-6任意一项所述的刻蚀终点确定方法得到。

8.一种晶圆刻蚀系统，其特征在于，应用于权利要求7所述的晶圆刻蚀方法，所述晶圆刻蚀系统包括：

晶圆刻蚀腔，所述晶圆刻蚀腔包括封闭腔体，位于所述封闭腔体内的安装台，所述安装台用于固定晶圆；

位于所述封闭腔体外的反射光探测器，所述反射光探测器用于接收所述晶圆被刻蚀过程中反射的光；

处理器，所述处理器接收所述反射光探测器的信号，并进行处理，用于确定晶圆刻蚀终点，并控制晶圆的刻蚀。

9.根据权利要求8所述的晶圆刻蚀系统，其特征在于，所述安装台为静电吸盘。