[发明专利]提高晶圆混合键合强度的方法在审
| 申请号： | 201711154806.6 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107993927A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 丁滔滔;郭帅;王家文;王孝进;王家友;李春龙;邢瑞远 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高晶圆混合键合强度的方法，其特征在于，方法包括提供需要进行键合的晶圆；将晶圆的键合界面对准后，对晶圆进行键合工艺和热退火工艺；其中，在进行键合工艺的过程中，对晶圆进行热压，并且在进行热退火工艺的过程中，继续对晶圆进行加压。使用本发明的方法后，能够有效提高混合键合的强度，降低了由此造成的产品良率缺失和报废隐患。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 混合 强度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高晶圆混合键合强度的方法，其特征在于，所述方法包括：提供需要进行键合的晶圆；将所述晶圆的键合界面对准后，对所述晶圆进行键合工艺和热退火工艺；其中，在进行所述键合工艺的过程中，对所述晶圆进行热压，并且在进行热退火工艺的过程中，继续对所述晶圆进行加压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711154806.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳化硅欧姆接触的制备方法
- 下一篇：一种抑制晶圆混合键合中铜电迁移的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
