[发明专利]提高晶圆混合键合强度的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆混合键合的方法，特别涉及一种提高晶圆混合键合强度的方法。

背景技术

三维集成电路需要在两片晶圆键合的同时实现数千个芯片的内部互连，而这些需要对两片晶圆进行导电性键合，一般导电性连接可通过单纯的金属键合工艺和键合强度更高的混合键合工艺来实现，由于单纯的金属键合工艺所能达到的强度并不理想，所以混合键合工艺是目前三维集成电路中键合工艺的首选。

混合键合技术是通过在晶圆的键合界面上的同时设置有金属和绝缘物的键合工艺，并在键合过程中需要将两片晶圆的键合界面上的金属与金属对齐、绝缘物与绝缘物对齐，并在一定的温度条件下进行键合。

现有技术的键合步骤分为：提供需要进行键合的晶圆；将晶圆的键合界面对准后，对晶圆进行键合工艺和热退火工艺；在进行键合工艺的过程中，对晶圆进行热压，而在热退火工艺的过程中，只进行常压退火，不在晶圆上施加压力。这种方法的混合键合强度相对较低难以满足减薄制程的需求，导致键合后的晶圆片分离，降低了器件良率，增大了生产成本，造成了技术瓶颈。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种提高晶圆混合键合强度的方法，从而克服现有技术的缺点。

为实现上述目的，本发明提供了一种提高晶圆混合键合强度的方法，其特征在于，方法包括：提供需要进行键合的晶圆；将晶圆的键合界面对准后，对晶圆进行键合工艺和热退火工艺；其中，在进行键合工艺的过程中，对晶圆进行热压，并且在进行热退火工艺的过程中，继续对晶圆进行加压。

优选地，上述技术方案中，晶圆通过卡盘夹紧。

优选地，上述技术方案中，通过卡盘向晶圆施加压力。

优选地，上述技术方案中，晶圆是半导体。

优选地，上述技术方案中，晶圆个数为两个。

优选地，上述技术方案中，对晶圆加压具体为：向晶圆施加大小相等方向相反且均指向键合界面的力。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：使用本发明的方法后，能够有效提高混合键合(hybrid bonding)的强度，降低了由此造成的产品良率缺失和报废隐患。

附图说明

图1是根据本发明的一个实施例的提高晶圆混合键合强度的方法的示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。

除非另有其它明确表示，否则在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分，而并未排除其它元件或其它组成部分。

以下介绍现有技术的混合键合的方法：提供两片需要进行键合的硅片，其中，每片硅片的键合界面上既包含金属又包含绝缘物；将两片硅片的键合界面对准后，对该两片硅片进行键合工艺和退火工艺。在进行键合工艺，需要对两片硅片进行加温和加压操作，而在热退火工艺的过程中，只进行常压退火，不在晶圆上施加压力。具体步骤为：首先提供两片需要进行键合的硅片，分别为第一硅片和第二硅片，每片硅片内均包含有位于衬底上的金属器件层，在金属器件层的顶部(即晶圆的键合界面)上设置有金属和绝缘物，金属可以是铜、钨、锡中的任意一种或多种的组合。然后，将上述的两片硅片中金属与金属对齐，绝缘物与绝缘物对齐后，进行混合键合工艺以及热退火工艺，在上述两个工艺过程中，分别在两片硅片的背面施加一对大小相等方向相反并指向键合界面的压力，在压力的作用下，可以将第一硅片和第二硅片的键合界面对准并保持相对的固定，避免产生较大的滑动。键合界面的制备具体包括，在第一硅片中的金属器件层的顶部，制备若干金属块，该若干金属块之间均间隔一定空隙。制备绝缘物层覆盖上述的金属块和暴露的金属器件层的顶部，在该步骤中，对制备工艺进行控制，使得所制备的绝缘物层中，位于暴露的金属器件层的顶部的部分的表面高于上述的金属块的顶部。对上述制备的绝缘物层进行研磨，并使研磨停止于金属块的顶部，从而使得研磨后的绝缘物层的顶部与若干金属块的顶部位于同一高度。