[发明专利]一种低功耗小面积大增益的新型TDA电路在审
| 申请号： | 201711152676.2 | 申请日： | 2017-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN107872204A | 公开（公告）日： | 2018-04-03 |
| 发明（设计）人： | 白创 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;G06F17/50 |
| 代理公司： | 广州凯东知识产权代理有限公司44259 | 代理人： | 李勤辉 |
| 地址： | 410000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低功耗小面积大增益的新型TDA电路，它包括第一PMOS晶体管M1、第一NMOS晶体管M2、第二NMOS晶体管M3、第三NMOS晶体管M4、第四NMOS晶体管M5、第二PMOS晶体管M6、第五NMOS晶体管M7、第六NMOS晶体管M8、第一整形反相器INV1和第二整形反相器INV2。所述第一PMOS晶体管M1，第一NMOS晶体管M2、第二NMOS晶体管M3和第三NMOS晶体管M4构成第一级电流饥饿型延迟单元，所述第二PMOS晶体管M6、第四NMOS晶体管M5、第五NMOS晶体管M7、第六NMOS晶体管M8构成第二级电流饥饿型延迟单元。两级单元完全对称，并且通过输出相互耦合控制延迟时间。本发明的结构简单、面积和功耗开销小，同时可保证很大的增益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 面积 增益 新型 tda 电路 | ||
【主权项】：
一种低功耗小面积大增益的新型TDA电路，其特征在于：它包括第一PMOS晶体管M1、第一NMOS晶体管M2、第二NMOS晶体管M3、第三NMOS晶体管M4、第四NMOS晶体管M5、第二PMOS晶体管M6、第五NMOS晶体管M7、第六NMOS晶体管M8、第一整形反相器INV1和第二整形反相器INV2；所述第一PMOS晶体管M1、第一NMOS晶体管M2、第二NMOS晶体管M3和第三NMOS晶体管M4构成第一级电流饥饿型延迟单元，所述第二PMOS晶体管M6、第四NMOS晶体管M5、第五NMOS晶体管M7、第六NMOS晶体管M8构成第二级电流饥饿型延迟单元。
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