[发明专利]一种低功耗小面积大增益的新型TDA电路

权利要求书

1.一种低功耗小面积大增益的新型TDA电路，其特征在于：它包括第一PMOS晶体管M1、第一NMOS晶体管M2、第二NMOS晶体管M3、第三NMOS晶体管M4、第四NMOS晶体管M5、第二PMOS晶体管M6、第五NMOS晶体管M7、第六NMOS晶体管M8、第一整形反相器INV1和第二整形反相器INV2；所述第一PMOS晶体管M1、第一NMOS晶体管M2、第二NMOS晶体管M3和第三NMOS晶体管M4构成第一级电流饥饿型延迟单元，所述第二PMOS晶体管M6、第四NMOS晶体管M5、第五NMOS晶体管M7、第六NMOS晶体管M8构成第二级电流饥饿型延迟单元。

2.根据权利要求1所述低功耗小面积大增益的新型TDA电路，其特征在于：输入端IN1分别同第一PMOS晶体管M1和第一NMOS晶体管M2的栅极相连，输入端IN2分别同第二PMOS晶体管M6和第五NMOS晶体管M7的栅极相连，输入端Vref分别同第二NMOS晶体管M3和第六NMOS晶体管M8的栅极相连，第一PMOS晶体管M1同第一晶体NMOS管M2的漏极相连作为第一级电流饥饿型延迟单元的输出，第二PMOS晶体管M6和第五NMOS晶体管M7的漏极相连作为第二级电流饥饿型延迟单元的输出。第一NMOS晶体管M2的源极分别同第二NMOS晶体管M3和第三NMOS晶体管M4的漏极相连，第五NMOS晶体管M7的源极分别同第四NMOS晶体管M5和第六NMOS晶体管M8的漏极相连。

3.根据权利要求1或2所述低功耗小面积大增益的新型TDA电路，其特征在于：所述第一级电流饥饿型延迟单元与第二级电流饥饿型延迟单元完全对称，并且通过输出相互耦合控制延迟时间。

4.根据权利要求3所述低功耗小面积大增益的新型TDA电路，其特征在于：所述第一级电流饥饿型延迟单元的输出同第四NMOS晶体管M5的栅极耦合相连，第二级电流饥饿型延迟单元的输出同第三NMOS晶体管M4的栅极耦合相连。

5.根据权利要求4所述低功耗小面积大增益的新型TDA电路，其特征在于：所述第一级电流饥饿型延迟单元的输出同所述第一整形反相器INV1的输入端相连，所述第二级电流饥饿型延迟单元的输出同所述第二整形反相器INV2的输入端相连，该两个反相器的输出端分别作为TDA电路的输出端OUT1和OUT2。