[发明专利]基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法，尤其提供增大晶圆面内的气体流速的结构。提供具备反应管的结构，该反应管构成对基板进行处理的处理室，且具有：气体导入部，其设置在反应管下部，并导入处理气体；缓冲部，其构成反应管侧面的一端，使处理气体暂时滞留并且设置有向处理室供给处理气体的开口部；连结部，其设置在气体导入部与缓冲部之间，并从气体导入部连通至缓冲部；以及气体排放部，其构成反应管侧面的另一端的下端部，并从处理室排出处理气体，反应管构成为从开口部向处理室导入并经由处理室而从气体排放部排出处理气体，其中开口部设置在从缓冲部的上端部到与气体排放部对置的位置。

主权项

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备反应管，该反应管构成对基板进行处理的处理室，所述反应管具有：气体导入部，其设置在所述反应管下部，并导入处理气体；缓冲部，其构成所述反应管侧面的一端，使所述处理气体暂时滞留并且设置有向所述处理室供给所述处理气体的开口部；连结部，其设置在所述气体导入部与所述缓冲部之间，并从所述气体导入部连通至所述缓冲部；以及气体排放部，其构成所述反应管侧面的另一端的下端部，并从所述处理室排出所述处理气体，所述反应管构成为，从所述开口部向所述处理室导入并经由所述处理室而从所述气体排放部排出所述处理气体，其中所述开口部设置在从所述缓冲部的上端部到与所述气体排放部对置的位置。