[发明专利]磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb2 有效
| 申请号： | 201711144962.4 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108091691B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;夏泽瑛;张瑾;冯金龙;童浩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb |
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| 搜索关键词： | 磁性 原子 掺杂 晶格 gete sb base sub | ||
【主权项】：
1.一种磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb2 Te3 ]n 材料，其特征在于，该材料中掺杂有磁性原子；掺杂前的初始超晶格[GeTe/Sb2 Te3 ]n 材料其结构具有拓扑绝缘性；掺杂磁性原子后，拓扑绝缘性受所述磁性原子的调控，优选的，所述初始超晶格[GeTe/Sb2 Te3 ]n 材料具备的时间反演对称性被破坏，并且所述磁性原子与其邻近的超晶格[GeTe/Sb2 Te3 ]n 材料中的原子产生轨道杂化作用，使得掺杂后的超晶格[GeTe/Sb2 Te3 ]n 材料自旋向上及自旋向下方向上的态密度同时出现不对称效应，并产生诱导磁矩，使所述初始超晶格[GeTe/Sb2 Te3 ]n 材料由非磁性的拓扑绝缘体转变为具备磁性的磁性原子掺杂的超晶格[GeTe/Sb2 Te3 ]n 材料。
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