[发明专利]一种大面积二维有机‑无机钙钛矿薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201711144721.X 申请日: 2017-11-17
公开(公告)号: CN107915496A 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 张豫鹏 申请(专利权)人: 张豫鹏
主分类号: C04B41/62 分类号: C04B41/62;C04B41/64;C23C16/448
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司33200 代理人: 黄欢娣,邱启旺
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种大面积二维有机‑无机钙钛矿薄膜的制备方法,先按照质量比将卤化铅粉末、碘甲胺粉末依次置于目标衬底上游,然后分别加热形成沉积气体,沉积在衬底上,通过本发明,利用一步化学气相沉积法在不同生长衬底上生长出质量高的大面积钙钛矿薄膜,具有质量高,面积大、重复性好,可大量制备等特点,为新型二维纳米材料的基础研究以及相关二维纳米光电子器件的潜在性应用的研究提供了样品制备的可靠手段。
搜索关键词: 一种 大面积 二维 有机 无机 钙钛矿 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种大面积二维有机‑无机钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将1重量份的卤化铅粉末、1.8~2.2重量份的碘甲胺粉末、目标衬底依次置于石英管中,碘甲胺粉末与目标衬底的间距控制在10‑20cm;卤化铅粉末与碘甲胺粉末的间距控制在5‑10cm。(2)密封后通入载气(氩气或氮气),控制流量为30‑100sccm;将卤化铅粉末所在区域升至200‑250℃;将碘甲胺粉末所在区域升至120‑180℃;将基底区域升温至150‑180℃,沉积30‑40分钟后得到二维钙钛矿薄膜材料,在整个过程中保持真空管式炉石英管内气压保持低压环境30‑80mTorr。
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