[发明专利]铜锑硫薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201711143977.9 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107829071B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 刘芳洋;康亮亮;陈珠;蒋良兴;狄云翔;陈建宇 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人： | 陈铭浩 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜锑硫薄膜材料的制备方法，该铜锑硫薄膜材料的制备方法包括以下步骤：基材表面清洁处理；在清洁处理后的基材表面通过射频或直流反应共溅射沉积Cu‑Sb‑S预制层；将表面沉积有Cu‑Sb‑S预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu‑Sb‑S预制层的表面进行刻蚀处理，得到铜锑硫薄膜材料。本发明提出的铜锑硫薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜材料 铜锑 制备 预制层 薄膜 高温退火 基材表面 清洁处理 成分可控性 表面沉积 直流反应 反应性 共溅射 均匀性 重现性 放入 基材 可调 刻蚀 射频 沉积 生长 | ||
【主权项】：
1.一种铜锑硫薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：基材表面清洁处理；第二步：在清洁处理后的基材表面通过射频或直流反应共溅射沉积Cu‑Sb‑S预制层，其中，采用的溅射气体为硫化氢和氩气的混合气体，采用的阴极靶为铜源靶材和锑源靶材，氩气气体流量为1～1000sccm，硫化氢气体流量为1～1000sccm，溅射室内压强为0.05Pa～15Pa，靶材与基材的距离为3～18cm，阴极靶的溅射功率密度为0.5～100W/cm2，沉积时间10～300min，基材温度为30～700℃，并以1～1000r/min的速率旋转所述基材；第三步：将表面沉积有Cu‑Sb‑S预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；第四步：对高温退火处理后的Cu‑Sb‑S预制层的表面进行刻蚀处理，得到铜锑硫薄膜材料，所制得的铜锑硫薄膜材料的成分为0.6<Cu/Sb<1.25；1.65<(Sb+Cu)/S<2.5。
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