[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201711131493.2 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108075019B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;顾小云;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述高温缓冲层包括依次层叠的(2*n+1)个子层，n为正整数，每个所述子层为P型掺杂的氮化镓层，所述(2*n+1)个子层中P型掺杂剂的掺杂浓度沿所述高温缓冲层的层叠方向逐层降低，相邻两个所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度相差一个数量级，第(n+1)个层叠的所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度的数量级与未掺杂的氮化镓层中电子浓度的数量级相同。本发明可以对N型氮化镓层中扩散的电子进行有效的阻挡，提高LED的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管外延 高温缓冲层 子层 掺杂 氮化镓层 依次层叠 衬底 制备 半导体技术领域 低温缓冲层 多量子阱层 层叠方向 未掺杂 正整数 阻挡 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述高温缓冲层包括依次层叠的(2*n+1)个子层，n为正整数，每个所述子层为P型掺杂的氮化镓层，所述(2*n+1)个子层中P型掺杂剂的掺杂浓度沿所述高温缓冲层的层叠方向逐层降低，相邻两个所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度相差一个数量级，第(n+1)个层叠的所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度的数量级与4*1016/cm3的数量级相同。
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