[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201711131493.2 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN108075019B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;顾小云;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管外延 高温缓冲层 子层 掺杂 氮化镓层 依次层叠 衬底 制备 半导体技术领域 低温缓冲层 多量子阱层 层叠方向 未掺杂 正整数 阻挡 扩散 | ||
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，其特征在于，所述高温缓冲层包括依次层叠的(2*n+1)个子层，n为正整数，每个所述子层为P型掺杂的氮化镓层，所述(2*n+1)个子层中P型掺杂剂的掺杂浓度沿所述高温缓冲层的层叠方向逐层降低，相邻两个所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度相差一个数量级，第(n+1)个层叠的所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度的数量级与4*1016/cm3的数量级相同。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，第1个层叠的所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度沿所述高温缓冲层的层叠方向逐渐升高。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，第1个层叠的所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度的最小值等于0。
4.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，第1个层叠的所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度的最小值等于第2个层叠的所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度。
5.根据权利要求2～4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述(2*n+1)个子层中第1个层叠的所述子层的厚度最大。
6.根据权利要求5所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述(2*n+1)个子层中除第1个层叠的所述子层之外的各个所述子层的厚度相同。
7.根据权利要求6所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述(2*n+1)个子层中除第1个层叠的所述子层之外的各个所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度保持不变。
8.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层；
其中，所述高温缓冲层包括依次层叠的(2*n+1)个子层，n为正整数，每个所述子层为P型掺杂的氮化镓层，所述(2*n+1)个子层中P型掺杂剂的掺杂浓度沿所述高温缓冲层的层叠方向逐层降低，相邻两个所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度相差一个数量级，第(n+1)个层叠的所述子层中P型掺杂剂的掺杂浓度的数量级与4*1016/cm3的数量级相同。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述高温缓冲层的生长温度为1000℃～1100℃。
10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于，所述高温缓冲层的生长压力为100torr～500torr。
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