[发明专利]氮化镓高迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201711122102.0 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107706239A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 闫稳玉;吴伟东;张薇葭 | 申请（专利权）人： | 山东聚芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L23/373 |
| 代理公司： | 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司37108 | 代理人： | 郑向群 |
| 地址： | 257091 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供氮化镓高迁移率晶体管，其中所述的封装引线框架上固定有塑封料外壳；所述的蓝宝石衬底置于最内层，氮化镓缓冲层填充与蓝宝石衬底与氮化镓之间，氮化镓的另一侧为氮化镓铝，氮化镓与氮化镓铝四周固定有钝化层，栅极、源极、漏极固定于钝化层中，钝化层与敷金陶瓷片由粘合剂粘合固定于一体，敷金陶瓷片与封装引线框架之间填充粘合剂；优点为精度高、完成的混合集成电路体积小、I/O密度高、互联线短、引线寄生参数小，可以最大限度的减少对散热的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
氮化镓高迁移率晶体管，包括塑封料外壳（2）、蓝宝石衬底（1）、氮化镓缓冲层（3）、氮化镓（4）、氮化镓铝（5）、栅极（11）、源极（13）、漏极（6）、钝化层（12）、粘合剂A（7）、粘合剂B（9）、敷金陶瓷片（8）、封装引线框架（10），其特征在于：所述的封装引线框架（10）上固定有塑封料外壳（2）；所述的内部自内向外依次分别为蓝宝石衬底（1）、氮化镓缓冲层（3）、氮化镓（4）、氮化镓铝（5）、钝化层（12）、粘合剂A（7）、敷金陶瓷片（8）、粘合剂B（9）；所述的蓝宝石衬底（1）置于最内层，氮化镓缓冲层（3）填充与蓝宝石衬底（1）与氮化镓（4）之间，氮化镓（4）的另一侧为氮化镓铝（5），氮化镓（4）与氮化镓铝（5）四周固定有钝化层（12），栅极（11）、源极（13）、漏极（6）固定于钝化层（12）中，钝化层（12）与敷金陶瓷片（8）由粘合剂A（7）粘合固定于一体，敷金陶瓷片（8）与封装引线框架（10）之间填充粘合剂B（9）。
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