[发明专利]具有保护测试的集成电路及其测试方法有效

专利信息
申请号: 201711117894.2 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN107728042B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 请求不公布姓名 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;H01L23/544
代理公司: 北京市铸成律师事务所 11313 代理人: 由元;武晨燕
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种具有保护测试的集成电路及其测试方法,其中的具有保护测试的集成电路,包括芯片本体及芯片测试电路,芯片测试电路包括:保护环,环绕芯片本体的电路区,以形成非封闭环;信号源电路,连接于保护环,用于向保护环提供测试信号;以及检测点,设置于保护环上,在检测点处检测测试信号,以根据所检测的测试信号确定芯片本体是否破损。本发明的技术方案可以测试芯片是否破损以及获得发生破损的掩膜层、位置和破损程度。
搜索关键词: 具有 保护 测试 集成电路 及其 方法
【主权项】:
一种具有保护测试的集成电路,包括芯片本体及芯片测试电路,其特征在于,所述芯片测试电路包括:保护环,环绕所述芯片本体的电路区,以形成非封闭环;信号源电路,连接于所述保护环,用于向所述保护环提供测试信号;以及,检测点,设置于所述保护环上,在所述检测点处检测所述测试信号,以根据所检测的测试信号确定所述芯片本体是否破损。
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