[发明专利]拍摄装置的制造方法

摘要

以覆盖配置有光电二极管(PD)的区域的方式，在栅极电极(NLGE、PLGE)的侧壁面形成偏移隔离膜(OSS)。接下来，将偏移隔离膜等作为注入掩模而形成外延区域(LNLD、LPLD)。接下来，实施将覆盖在配置有光电二极管的区域上的偏移隔离膜除去的处理。接下来，在栅极电极的侧壁面形成侧壁绝缘膜(SWI)。接下来，将侧壁绝缘膜等作为注入掩模而形成源极/漏极区域(HPDF、LPDF、HNDF、LNDF)。

主权项

一种拍摄装置的制造方法，所述拍摄装置具有：将入射的光转换为电荷的光电转换部、传输在所述光电转换部中生成的电荷的传输用晶体管及将所述电荷作为信号进行处理的第一外围晶体管，所述拍摄装置的制造方法包括下述工序：(a)工序，即通过在半导体衬底形成元件分离绝缘膜而规定出像素区域及外围区域；(b)工序，即在所述像素区域形成所述传输用晶体管的传输栅极电极，并且在所述外围区域形成所述第一外围晶体管的第一外围栅极电极，其中所述传输栅极电极具有第一侧面及与所述第一侧面相对的第二侧面，所述第一外围栅极电极具有第三侧面及与所述第三侧面相对的第四侧面；(c)工序，即在位于所述传输栅极电极的所述第一侧面侧的所述像素区域的部分形成光电转换部；(d)工序，即以覆盖所述像素区域及外围区域的方式形成第一绝缘膜；(e)工序，即以将位于所述光电转换部及所述传输栅极电极的所述第一侧面的所述第一绝缘膜的部分覆盖的方式形成第一抗蚀图案；(f)工序，即以所述第一抗蚀图案为蚀刻掩模而对所述第一绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此在所述传输栅极电极的所述第二侧面、所述第一外围栅极电极的第三侧面和所述第一外围栅极电极的第四侧面形成偏移隔离膜；(g)工序，即除去所述第一抗蚀图案；(h)工序，即以覆盖所述像素区域的方式形成第二抗蚀图案；(i)工序，即通过将所述第一外围栅极电极及所述偏移隔离膜作为掩模而注入规定导电型的杂质，由此在位于所述第一外围栅极电极的所述第三侧面这一侧的所述外围区域的部分和位于所述第一外围栅极电极的所述第四侧面这一侧的所述外围区域的部分形成第一外延区域；(j)工序，即除去所述第二抗蚀图案；以及(k)工序，即通过实施湿蚀刻处理来将覆盖所述光电转换部的所述第一绝缘膜的部分除去。