[发明专利]拍摄装置的制造方法

说明书

以覆盖配置有光电二极管(PD)的区域的方式，在栅极电极(NLGE、PLGE)的侧壁面形成偏移隔离膜(OSS)。接下来，将偏移隔离膜等作为注入掩模而形成外延区域(LNLD、LPLD)。接下来，实施将覆盖在配置有光电二极管的区域上的偏移隔离膜除去的处理。接下来，在栅极电极的侧壁面形成侧壁绝缘膜(SWI)。接下来，将侧壁绝缘膜等作为注入掩模而形成源极/漏极区域(HPDF、LPDF、HNDF、LNDF)。

本发明申请是国际申请日为2012年10月29日、国际申请号为PCT/JP2012/077855、进入中国国家阶段的国家申请号为201280076690.8、发明名称为“拍摄装置的制造方法及拍摄装置”的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及拍摄装置的制造方法及拍摄装置，尤其能够在具有图像传感器用的光电二极管的拍摄装置的制造方法中合适地利用。

背景技术

在数码相机等中，采用了例如具有CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor；互补金属氧化物半导体)图像传感器的拍摄装置。在这样的拍摄装置中，形成有：配置有将所入射的光转换成电荷的光电二极管的像素区域；和配置有将由光电二极管转换成的电荷作为电信号进行处理等的外围电路的外围电路区域。在像素区域中，在光电二极管中产生的电荷通过传输用晶体管而被向浮置扩散(Floating Diffusion)区域传输。传输来的电荷在外围电路区域中通过放大用晶体管而被转换成电信号，并作为图像信号输出。作为公开了拍摄装置的文献，有日本特开2010-56515号公报(专利文献1)及日本特开2006-319158号公报(专利文献2)。

在拍摄装置中，一直为了高感光度化和低耗电化而推进微细化。若伴随着微细化，处理电信号的场效应型晶体管的栅极电极的栅极长度为100nm以下，则会采用用于确保实际起作用的栅极长度以改善晶体管特性的手段。即，在形成侧壁绝缘膜之前，在已在栅极电极的侧壁面上形成了偏移隔离(offset spacer)膜的状态下进行外延注入(LDD(LightlyDoped Drain；轻掺杂漏)注入)。由此，能够确保场效应型晶体管的实际起作用的栅极长度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2010-56515号公报

专利文献2:日本特开2006-319158号公报

发明内容

然而，在以往的拍摄装置中，存在下面这样的问题。偏移隔离膜通过对以覆盖栅极电极等的方式形成于半导体衬底的表面上的、作为侧壁隔离膜的绝缘膜的整个面实施各向异性蚀刻处理(回蚀刻处理)而形成。因此，在光电二极管中，由于将覆盖光电二极管的绝缘膜除去时的干蚀刻处理，所以会发生损伤(等离子体损伤)。一旦光电二极管中发生损伤，暗电流就会增加，导致光电二极管中即使没有光入射也会有电流流过的情况。

关于其他技术问题及新的特征，根据本说明书的记载以及附图能够得以明确。

在一实施方式的拍摄装置的制造方法中，以覆盖元件形成区域及栅极电极的方式形成作为偏移隔离膜的第一绝缘膜。使第一绝缘膜中覆盖光电转换部的部分残留，并对第一绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此在栅极电极的侧壁面形成偏移隔离膜。通过实施湿蚀刻处理而将覆盖光电转换部的第一绝缘膜的部分除去。

在另一实施方式的拍摄装置的制造方法中，以覆盖元件形成区域及栅极电极的方式形成作为偏移隔离膜的第一绝缘膜。使第一绝缘膜中覆盖光电转换部的部分残留，并对第一绝缘膜实施各向异性蚀刻处理，由此在栅极电极部的侧壁面形成偏移隔离膜。

在另外再一实施方式的拍摄装置中，在隔着传输栅极电极而位于一侧的像素区域的部分形成有光电转换部。以除配置有光电转换部的区域以外的状态，在栅极电极的侧壁面形成有偏移隔离膜。

发明的效果