[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711116553.3 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786458B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王青鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括密集区和稀疏区；在所述半导体衬底上形成第一鳍部组、第二鳍部组和伪鳍部，第一鳍部组位于半导体衬底稀疏区上，第二鳍部组位于半导体衬底密集区上，第一鳍部组和第二鳍部组均包括若干本征鳍部，密集区本征鳍部的排列密度大于稀疏区本征鳍部的排列密度，所述伪鳍部分别位于第一鳍部组两侧、第二鳍部组两侧、以及稀疏区相邻的本征鳍部之间；在半导体衬底上形成第一隔离层，第一隔离层覆盖伪鳍部的部分侧壁和本征鳍部的部分侧壁；去除伪鳍部，在第一隔离层中形成第一槽；在所述第一槽中形成第二隔离层。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括密集区和稀疏区；在所述半导体衬底上形成第一鳍部组、第二鳍部组和伪鳍部，第一鳍部组位于半导体衬底稀疏区上，第二鳍部组位于半导体衬底密集区上，第一鳍部组和第二鳍部组均包括若干本征鳍部，密集区本征鳍部的排列密度大于稀疏区本征鳍部的排列密度，所述伪鳍部分别位于第一鳍部组两侧、第二鳍部组两侧、以及稀疏区相邻的本征鳍部之间；在半导体衬底上形成第一隔离层，第一隔离层覆盖伪鳍部的部分侧壁和本征鳍部的部分侧壁；去除伪鳍部，在第一隔离层中形成第一槽；在所述第一槽中形成第二隔离层。
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