[发明专利]TiN系膜及其形成方法有效
| 申请号： | 201711112450.X | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN108074976B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 石坂忠大;小泉正树;佐野正树;洪锡亨 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L21/285;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;程采 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。 | ||
| 搜索关键词： | tin 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TiN系膜，其特征在于：由氧含量为50at％以上的TiON膜和TiN膜在基板上交替叠层而成的叠层膜形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711112450.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
