[发明专利]一种芯片样品去层次的研磨方法在审
| 申请号： | 201711107744.3 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107738141A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 刘海岸 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B37/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片样品去层次的研磨方法，包括以下步骤提供一面积大于芯片样品的圆晶片作为衬片，在衬片的正面均匀涂抹一层固化胶；将芯片样品置于衬片的正面，四周设置仿制芯片，仿制芯片的厚度不小于芯片样品；将衬片的反面放置在加热板上加热，至固化胶固化；在芯片样品的表面涂抹一层固化胶，在芯片样品与仿制芯片之间的空隙内填充固化胶；加热至固化胶固化；对衬片的正面进行平面研磨，至芯片样品的表面图形露出；继续对衬片的正面进行平面研磨并逐层观察。采用本发明的技术方案可增大研磨时的接触面积，改善样品边缘研磨过快的问题，达到改善研磨均匀性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 样品 层次 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片样品去层次的研磨方法，运用于半导体测试分析领域，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一面积大于所述芯片样品的晶圆片作为衬片，在所述衬片的正面均匀涂抹一层固化胶；步骤S2：将所述芯片样品置于所述衬片的正面，所述衬片的正面上所述芯片样品的至少两边设置仿制芯片，所述仿制芯片的厚度不小于所述芯片样品；步骤S3：将所述衬片的反面放置在加热板上加热，至所述固化胶固化；步骤S4：在所述芯片样品的表面涂抹一层所述固化胶，在所述芯片样品与所述仿制芯片之间的空隙内填充所述固化胶；步骤S5：将所述衬片的反面放置在加热板上再次加热，至所述固化胶固化；步骤S6：对所述衬片的正面进行平面研磨，至所述芯片样品的表面图形露出；步骤S7，判断是否继续研磨，如果是，继续对所述衬片的正面进行平面研磨，如果否，退出。
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