[发明专利]一种芯片样品去层次的研磨方法

权利要求书

1.一种芯片样品去层次的研磨方法，运用于半导体测试分析领域，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供一面积大于所述芯片样品的晶圆片作为衬片，在所述衬片的正面均匀涂抹一层固化胶；

步骤S2：将所述芯片样品置于所述衬片的正面，所述衬片的正面上所述芯片样品的至少两边设置仿制芯片，所述仿制芯片的厚度不小于所述芯片样品；

步骤S3：将所述衬片的反面放置在加热板上加热，至所述固化胶固化；

步骤S4：在所述芯片样品的表面涂抹一层所述固化胶，在所述芯片样品与所述仿制芯片之间的空隙内填充所述固化胶；

步骤S5：将所述衬片的反面放置在加热板上再次加热，至所述固化胶固化；

步骤S6：对所述衬片的正面进行平面研磨，至所述芯片样品的表面图形露出；

步骤S7，判断是否继续研磨，如果是，继续对所述衬片的正面进行平面研磨，如果否，退出。

2.根据权利要求1所述的芯片样品去层次的研磨方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述仿制芯片分为4个条状结构环绕设置在所述芯片样品的四周。

3.根据权利要求1所述的芯片样品去层次的研磨方法，其特征在于，在所述步骤S4中，所述固化胶在所述芯片样品的中心位置厚度最大，且完全覆盖所述芯片样品的表面。

4.根据权利要求1所述的芯片样品去层次的研磨方法，其特征在于，在所述步骤S4中，填充在所述芯片样品与所述仿制芯片之间的空隙的所述固化胶的厚度不小于所述芯片样品的厚度。

5.根据权利要求1所述的芯片样品去层次的研磨方法，其特征在于，在所述步骤S5中，采用研磨夹具、砂纸和抛光布进行手动研磨。

6.根据权利要求1所述的芯片样品去层次的研磨方法，其特征在于，在所述步骤S5中，采用金刚石研磨盘对所述衬片的正面进行机械研磨。

7.根据权利要求1所述的芯片样品去层次的研磨方法，其特征在于，所述加热板的加热温度为150摄氏度到250摄氏度。

8.根据权利要求1所述的芯片样品去层次的研磨方法，其特征在于，所述固化胶为环氧胶或丙烯酸胶。

9.一种用于样品去层次分析的芯片结构，其特征在于，采用上述权利要求1至8中任意一项所述的芯片样品去层次的研磨方法制得；

所述芯片结构包括芯片，设置在所述芯片底部的衬片，设置在所述芯片至少两边的仿制芯片，所述芯片与所述仿制芯片之间的缝隙中填充有已被固化的固化胶。

10.一种芯片样品分析的方法，其特征在于，采用上述权利要求1至8中任意一项所述的芯片样品去层次的研磨方法进行研磨。