[发明专利]无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺在审
| 申请号： | 201711102331.6 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107863420A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 胡琴;房江明;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 | 申请（专利权）人： | 常州亿晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙)32258 | 代理人： | 郑云 |
| 地址： | 213000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备太阳能电池的技术领域，尤其是一种无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤a、硅片表面进行抛光；b、然后对硅片的背面进行镀氮化硅膜，在硅片背面镀氮化硅膜时,硅片正面的四个侧边边缘同时绕镀有氮化硅膜；c、接着对硅片的正面进行制绒；d、随后对硅片的正面进行扩散；e、利用氢氟酸去除步骤b中的氮化硅膜及步骤d中扩散时硅片表面形成的磷硅玻璃；f、硅片表面沉积膜体；g、印刷硅片正面和背面的电极；h、烧结，本发明利用氮化硅膜作为边缘隔离层，从而达到防止电池片边缘漏电的效果，另外，可以实现硅片的单面制绒，采用本工艺后，硅片的并联电阻得到明显提升，漏电流大大降低。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 处理 太阳能电池 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：a、硅片表面进行抛光；b、然后对硅片的背面进行镀氮化硅膜，在硅片背面镀氮化硅膜时,硅片正面的四个侧边边缘同时绕镀有氮化硅膜；c、接着对硅片的正面进行制绒；d、随后对硅片的正面进行扩散；e、利用氢氟酸去除步骤b中的氮化硅膜及步骤d中扩散时硅片表面形成的磷硅玻璃；f、硅片表面沉积膜体；g、印刷硅片正面和背面的电极；h、烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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