[发明专利]无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺

权利要求书

1.一种无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：

a、硅片表面进行抛光；

b、然后对硅片的背面进行镀氮化硅膜，在硅片背面镀氮化硅膜时,硅片正面的四个侧边边缘同时绕镀有氮化硅膜；

c、接着对硅片的正面进行制绒；

d、随后对硅片的正面进行扩散；

e、利用氢氟酸去除步骤b中的氮化硅膜及步骤d中扩散时硅片表面形成的磷硅玻璃；

f、硅片表面沉积膜体；

g、印刷硅片正面和背面的电极；

h、烧结。

2.根据权利要求1所述的无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺，其特征在于：步骤a中采用氢氧化钠、双氧水及水的混合液对硅片表面进行抛光。

3.根据权利要求1所述的无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺，其特征在于：步骤b中的氮化硅膜膜厚控制在70nm-80nm。

4.根据权利要求1所述的无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺，其特征在于：步骤c中将硅片放入氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液内，从而对硅片的正面进行制绒，氢氧化钠溶液或氢氧化钾溶液的温度为80℃，制绒时间为10min。

5.根据权利要求1所述的无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺，其特征在于：步骤d中扩散方阻为90-100Ω/□。

6.根据权利要求1所述的无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺，其特征在于：步骤f具体为，在硅片正面采用PEVCD生长一层氮化硅层。

7.根据权利要求6所述的无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺，其特征在于：步骤f中的氮化硅层的厚度为75nm，折射率为2.1。

8.根据权利要求1所述的无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺，其特征在于：步骤f具体为：

首先在硅片的背面沉积一层三氧化二铝层，其中，三氧化二铝层的厚度在5-10nm之间，三氧化二铝的的沉积温度为260-280℃；

接着在硅片背面的三氧化二铝层上利用PEVCD沉积一层背面氮化硅层，其中，背面氮化硅层的厚度为150nm，折射率为2.06；

然后利用PEVCD在硅片的正面沉积一层正面氮化硅层，其中，正面氮化硅层的厚度为75nm，折射率为2.1。