[发明专利]一种柔性显示器的制备方法在审
| 申请号： | 201711098186.9 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107993918A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李林;万方馨;于春崎 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 邓义华,廖苑滨 |
| 地址： | 516600 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性显示器的制备方法，包括如下步骤（1）提供一刚性基材，在所述刚性基材上制作柔性衬底；（2）在柔性衬底上形成半导体层和绝缘层，其中，所述半导体层由非晶硅构成，所述绝缘层由氮化硅构成，形成半导体层和绝缘层的温度为200‑250℃。本发明在柔性显示器制程中，将形成半导体层和绝缘层的温度调整为200‑250℃，不仅可以保护由PI、PET等有机高分子材料不在高温制程中发生物理化学变化，而且可以保证半导体层和绝缘层的薄膜致密性。采用本发明的制备方法，有助于提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 显示器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种柔性显示器的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：（1）提供一刚性基材，在所述刚性基材上制作柔性衬底；（2）在柔性衬底上形成半导体层和绝缘层，其中，所述半导体层由非晶硅构成，所述绝缘层由氮化硅构成，形成半导体层和绝缘层的温度为200‑250℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
