[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201711096653.4 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN108063139B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 全辉璨;裵德汉;申宪宗;张在兰;赵文祺;曹永宇 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L23/64
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体器件包括:包括第一区域和第二区域的基板;在基板的第一区域上的单元栅图案;在基板的第二区域上的虚设栅图案;在基板的第二区域上且在虚设栅图案之上的电阻器图案;以及联接到每个连接区的连接结构。电阻器图案包括主体区和在主体区的两侧的连接区。当在平面图中看时,虚设栅图案交叠主体区而不交叠连接区。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:包括第一区域和第二区域的基板;在所述基板的所述第一区域上的单元栅图案;在所述基板的所述第二区域上的虚设栅图案;在所述基板的所述第二区域上且在所述虚设栅图案之上的电阻器图案,所述电阻器图案包括主体区和在所述主体区的两侧的连接区,在平面图中,所述虚设栅图案交叠所述主体区;以及联接到所述连接区的每个的连接结构,当在平面图中看时,所述虚设栅图案不交叠所述连接区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711096653.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top