[发明专利]一种制作T型栅结构的电子束光刻方法

摘要

一种制作T型栅结构的电子束光刻方法，包括以下步骤：在GaN异质结平面材料上，涂覆低灵敏度高光刻剂量的一号光刻胶并烘烤；再在一号光刻胶上涂覆二号光刻胶并烘烤；二号光刻胶采用PMMA‑MAA胶，PMMA‑MAA胶的灵敏度高于PMAA，光刻剂量低于PMMA；再在二号光刻胶上涂覆三号光刻胶并烘烤；三号光刻胶仍采用PMMA‑MAA胶；三号光刻胶的烘烤温度低于二号光刻胶的烘烤温度；随后经过电子束光刻、显影以及剥离工艺，最终形成带有undercut结构的T型栅结构。本发明能够更加便捷和可靠的制备T型栅。

主权项

一种制作T型栅结构的电子束光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在衬底材料上，涂覆低灵敏度高光刻剂量的一号光刻胶并烘烤；S2：再在一号光刻胶上涂覆二号光刻胶并烘烤，二号光刻胶的灵敏度高于一号光刻胶，二号光刻胶的光刻剂量低于一号光刻胶；S3：再在二号光刻胶上涂覆三号光刻胶并烘烤；三号光刻胶仍采用与二号光刻胶相同的光刻胶，三号光刻胶的烘烤温度低于步骤S2中二号光刻胶的烘烤温度；S4：对步骤S3形成的复合胶层进行电子束光刻，光刻时，两侧图形的光刻剂量设置为适合上层胶的低剂量，中间图形的光刻剂量设置为适合下层胶的高剂量；S5：通过显影形成带有undercut结构的T型结构；S6：在显影后的结构上沉积金属，一号光刻胶的厚度<栅金属厚度<二号光刻胶厚度；S7：采用剥离工艺去掉光刻胶及附着金属，留下淀积在平面材料上的金属，形成T型栅。