[发明专利]一种制作T型栅结构的电子束光刻方法有效
| 申请号： | 201711091798.5 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107863291B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;杨眉;马晓华;郝跃;武盛 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 结构 电子束光刻 方法 | ||
1.一种制作T型栅结构的电子束光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在衬底材料上，涂覆低灵敏度高光刻剂量的一号光刻胶并烘烤；
S2：再在一号光刻胶上涂覆二号光刻胶并烘烤，二号光刻胶的灵敏度高于一号光刻胶，二号光刻胶的光刻剂量低于一号光刻胶；
S3：再在二号光刻胶上涂覆三号光刻胶并烘烤；三号光刻胶仍采用与二号光刻胶相同的光刻胶，三号光刻胶的烘烤温度低于步骤S2中二号光刻胶的烘烤温度；
所述的一号光刻胶选用PMMA胶，二号光刻胶与三号光刻胶均采用PMMA-MAA胶；
所述的三号光刻胶的烘烤温度低于二号光刻胶20摄氏度以上；
S4：对步骤S3形成的复合胶层进行电子束光刻，光刻时，两侧图形的光刻剂量设置为适合上层胶的低剂量，中间图形的光刻剂量设置为适合下层胶的高剂量；
S5：通过显影形成带有undercut结构的T型结构；
S6：在显影后的结构上沉积金属，一号光刻胶的厚度栅金属厚度二号光刻胶厚度；
S7：采用剥离工艺去掉光刻胶及附着金属，留下淀积在平面材料上的金属，形成T型栅。
2.根据权利要求1所述制作T型栅结构的电子束光刻方法，其特征在于：所述的步骤S4进行电子束光刻时，两侧图形与中间图形之间留有间隙。
3.根据权利要求1所述制作T型栅结构的电子束光刻方法，其特征在于：所述的步骤S5进行显影时显影液选用MIBK与IPA按照体积比为1:3配制的溶液。
4.根据权利要求1所述制作T型栅结构的电子束光刻方法，其特征在于：所述的步骤S6中，二号光刻胶的厚度大于所沉积金属厚度的1.3倍。
5.根据权利要求1所述制作T型栅结构的电子束光刻方法，其特征在于：所述的步骤S7中，采用丙酮溶液浸泡将光刻胶及其上层附着的金属一起脱落。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
