[发明专利]一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜层的方法在审
| 申请号： | 201711091669.6 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107863296A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李浩业;彭宇飞;孙昌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明发明一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜的方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，其中，于一硅衬底上形成多个多晶硅栅极结构，至少一个所述多晶硅栅极结构表面覆盖有一二氧化硅硬掩膜层，所述多晶硅栅极结构自下而上依次包括栅极氧化层和多晶硅层，还包括以下步骤在所述二氧化硅硬掩膜层和硅衬底表面形成一BARC(Bottom Anti‑Reflective Coating，底部抗反射层)制成的防护涂层；对所述防护涂层进行刻蚀，暴露所述二氧化硅硬掩膜层；去除所述二氧化硅硬掩膜层；去除所述防护涂层。有益效果通过本方法，可以在去除多晶硅顶部二氧化硅硬掩膜的同时，完好保留多晶硅底部的栅氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 栅极 多晶 二氧化硅 硬掩膜层 方法 | ||
【主权项】：
一种去除栅极多晶硅上二氧化硅硬掩膜的方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，其特征在于，于一硅衬底上形成至少一个多晶硅栅极结构，至少一个所述多晶硅栅极结构表面覆盖有一二氧化硅硬掩膜层，所述多晶硅栅极结构自下而上依次包括栅极氧化层和多晶硅层，还包括以下步骤：步骤S1、在所述二氧化硅硬掩膜层和硅衬底表面形成一防护涂层；步骤S2、对所述防护涂层进行刻蚀，暴露所述二氧化硅硬掩膜层；步骤S3、去除所述二氧化硅硬掩膜层；步骤S4、去除所述防护涂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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