[发明专利]光刻掩膜优化设计方法及系统

摘要

本发明提供一种光刻掩膜优化设计方法及系统，光刻掩膜优化设计方法包括如下步骤：1）依据光刻所需参数条件依次进行光源优化、掩膜优化及光源‑掩膜优化；2）依据优化结果设定曝光参数；3）依据器件的关键尺寸对曝光参数进行修正；4）依据修正后的曝光参数输出光刻掩膜模型；5）对光刻掩膜模型进行光学邻近校正；及，6）对光学邻近校正后的光刻掩膜模型进行电性验证检测，在电性验证检测通过后得到所需的光刻掩膜。本发明的光刻掩膜优化设计方法通过采用光源优化、掩膜优化及光源‑掩膜优化设定曝光参数，可以实现光刻掩膜的自动化设置，整个设计过程比较简单、灵活，精确度较高。

主权项

1.一种光刻掩膜优化设计方法，其特征在于，所述光刻掩膜优化设计方法包括如下步骤：1)依据光刻所需参数条件依次进行光源优化、掩膜优化及光源‑掩膜优化；2)依据优化结果设定曝光参数；3)依据器件的关键尺寸对所述曝光参数进行修正；4)依据修正后的曝光参数输出光刻掩膜模型；5)对所述光刻掩膜模型进行光学邻近校正；及，6)对光学邻近校正后的所述光刻掩膜模型进行电性验证检测，在电性验证检测通过后得到所需的光刻掩膜。